Ohmic contact for a p-layer of an InP photodiode substrate, and method of producing same.

摘要

Ein Kontakt für eine p-leitende Schicht (5) eines InP-Substrates (1) von Fotodioden mit einer (In, Ga)(As,P)/InP- oder einer (In,Ga)As/InP- Heteroschichtstruktur soll ein ohmsches Verhalten besitzen, ohne die gute Passivierbarkeit des Bauelements und die Transparenz für die zu detektierende Strahlung negativ zu beeinträchtigen. Zwischen dem p-Kontakt (11) und einem p<+>-dotierten Gebiet (7) der p-leitenden Deckschicht (5) ist eine p-leitende InGaAs- oder InGaAsP-Zwischenschicht vorgesehen, die Teil der Schichtstruktur (4) oder eine zusätzlich eingebrachte Schicht ist. Ein erfindungsgemäßer ohmscher Kontakt findet insbesondere bei Fotodioden für den Wellenlängenbereich von 1µm bis 1,6µm Anwendung.