| 摘要 |
<P>L'invention concerne le dépôt d'une couche mince de silice sur un substrat par réaction chimique assistée par un plasma généré dans un réacteur à plasma (1), le substrat étant disposé dans une enceinte à vide (5). On réalise la succession d'étapes suivantes: introduction d'oxygène et éventuellement d'argon dans l'enceinte à vide, amorçage du plasma, introduction du silane dans l'enceinte à vide, la pression des gaz dans l'enceinte à vide lors du dépôt étant comprise entre 40 et 80 mubars, le débit d'argon étant compris entre 0 et 35 cm3 /min, le débit de silane étant compris entre 12 et 24 cm3 /min, le débit d'oxygène étant compris entre 13 et 35 cm3 /min.</P>
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