| 主权项 |
1.一种MOCVD系统,系用以于室温下,使用液相之有机金属化合物作为原料液,而在被处理基板上形成金属氧化膜者,其包含有以下构件:一密封处理室;一支持构件,系配设于该处理室内而用以支持前述被处理基板者;一排气机构,系用以将该处理室内排气,同时并将之设定成真空状态者;一下游本管,系连接于该处理室以供给处理气体者;一气化单元,系于该处理室外连接于该下游本管,而可在该气化单元中,将该原料液加热至较气化温度高之温度,使其气化并转换成前述处理气体者;一上游本管,系连接于该气化单元而用以供给前述原料液者;一原料桶,系于该处理室外为该上游本管所连接,而用以储存前述原料液者;一流量控制单元,系配设于该原料桶与该气化单元间之该上流本管中者;及一温度维持机构,系用以将该原料桶及该流量控制单元之温度维持在较该气化温度低但较室温高之状态者。2.如申请专利范围第1项之MOCVD系统,其中该温度维持机构具有一恒温断热箱,该恒温断热箱系将该原料桶、该流量控制单元及其等之间的该上游本管部分加以收纳者。3.如申请专利范围第2项之MOCVD系统,其中该温度维持机构具有一温度调整换气部,该温度调整换气部系使用在该恒温断热箱内加温后之温度调整用气体以换气者。4.如申请专利范围第1项之MOCVD系统,其中该原料液系由戊糖乙氧钽成为实质的且该加温温度设定于25℃-35℃之范围内。5.一种MOCVD系统,系配置于净室内,而用以于室温下使用液相之有机金属化合物作为原料液,以在基板上形成金属氧化膜者,其包含有以下构件:一密封处理室;一支持构件,系配设于该处理室内而用以支持前述被处理基板者;一排气机构,系用以将该处理室内排气,同时并将之设定成真空状态者;一下游本管,系连接于该处理室以供给处理气体者;一气化单元,系于该处理室外连接于该下流本管,而可在该气化单元中,将前述原料液加热至较气化温度高之温度,使其气化并转换成前述处理气体者;一上流本管,系连接于该气化单元以供给前述原料液者;一原料桶,系于该处理室外为该上游本管所连接以储存前述原料者;一流量控制单元,系设置于该原料桶与该气化单元间之该上游本管中者;一间隔墙,系用以与该净室内之其他空间相隔离,而在该净室内形成一可将该处理室、该下游本管、该气化单元、该上游本管、该原料桶及该流量控制单元一起加以收纳之隔离空间者;一温度维持机构,系用以将该原料桶及该流量控制单元之温度维持在较该气化温度低但较室温高之状态者;及一恒温断热箱,系供该温度维持机构在该隔离空间内将该原料桶、该流量控制单元及其等之间的该上游本管部分加以收纳者。图式简单说明:第1图系一概略显示本发明之实施态样MOCVD系统之构造图。第2图系一概略显示将第1图所示之系统配设于净室内之状态的侧面图。第3图系一扩大显示对第1图所示之上游及下游本管所使用之接头的剖面图。第4图系一概略显示本发明另一实施态样之MOCVD系统的构造图。第5图系一概略显示习知之MOCVD系统之构造图。 |
