| 摘要 |
Beschrieben wird ein Verfahren zur Erzeugung strukturierter Materialschichten (3, 8) auf einem Grundkörper (2), insbesondere einem Halbleiterkörper, mit den Schritten Bereitstellen einer ersten Materialschicht (3), Strukturieren der ersten Materialschicht (3) durch teilweisen oder vollständigen lokalen Schichtabtrag zur Bildung erhabener (4) und vertiefter Schichtgebiete, Aufbringen einer weiteren Materialschicht (8). Dabei wird die strukturierte erste Materialschicht (3) als permanent verbleibende Materialschicht vorgesehen, und durch die Höhendifferenz an den Kanten der strukturierten ersten Materialschicht (3), die durch Übergänge von erhabenen (4) zu vertieften Schichtgebieten gebildet werden, erfolgt eine Trennung einzelner Schichtgebiete der weiteren Materialschicht (8) an den Kanten, wobei die Kanten der erhabenen Gebiete (4) als Abrißkanten der weiteren Materialschicht (8) wirken. <IMAGE>
|
