| 发明名称 | 使半导体结构平坦化以形成替代金属栅 | ||
| 摘要 | 可用金属栅电极代替包括氮化物和填充层的牺牲栅结构。可再次用由填充层覆盖的氮化物层覆盖金属栅电极。氮化物和填充层的替代可再引入应变并提供蚀刻停止。 | ||
| 申请公布号 | CN101027761A | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
| 申请号 | CN200580025244.4 | 申请日期 | 2005.07.14 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | J·卡瓦利厄斯;J·布拉斯克;M·多齐;U·沙阿;C·巴恩斯;M·梅茨;S·达塔;R·乔 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：形成牺牲栅结构；去除所述牺牲栅结构；用金属栅电极代替所述牺牲栅结构；以及用氮化物层覆盖所述金属栅电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||