发明名称 |
采用等离子体CVD法的蒸镀膜 |
摘要 |
本发明的蒸镀膜通过使用有机金属化合物和氧化性气体作为反应气体的等离子体CVD法而形成在基体表面,以来源于上述有机金属化合物的金属元素(M)、氧(O)和碳(C)3种元素为基准,上述蒸镀膜划分为碳浓度为5元素%以上的基体侧粘结层、碳浓度不到5元素%的阻挡性中间层、和碳浓度为5元素%以上的表面保护层。该蒸镀膜不仅对基体的附着性良好,而且对水分、特别是碱水溶液的耐受性也优异。 |
申请公布号 |
CN101163817A |
申请公布日期 |
2008.04.16 |
申请号 |
CN200680013444.2 |
申请日期 |
2006.02.07 |
申请人 |
东洋制罐株式会社 |
发明人 |
稻垣肇;家木敏秀;鬼头谕;中野龙太;M·中山 |
分类号 |
C23C16/44(2006.01);B65D1/00(2006.01);B65D23/02(2006.01);C23C16/40(2006.01);C23C16/50(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
孙秀武;李平英 |
主权项 |
1.蒸镀膜,其通过使用有机金属化合物和氧化性气体作为反应气体的等离子体CVD法而形成在基体表面,其中,以来源于上述有机金属化合物的金属元素(M)、氧(O)和碳(C)3种元素为基准,上述蒸镀膜划分为碳浓度为5元素%以上的基体侧粘结层、碳浓度不到5元素%的阻挡性中间层、和碳浓度为5元素%以上的表面保护层;上述表面保护层的碳(C)浓度比氧(O)浓度和金属元素(M)浓度高,并且在该表面保护层的表面,表示金属元素(M)氧化度的元素比(O/M)为1.3以下,并且金属元素(M)的结合能比上述阻挡性中间层中的金属元素结合能的平均值小1.0eV以上;在上述阻挡性中间层中,表示金属元素(M)氧化度的元素比(O/M)平均比1.8高且为2.4以下。 |
地址 |
日本东京都 |