半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种可以解决随着凸点电极的间距变窄而显现的问题的技术。具体而言，提供一种下述技术，即在电气特性检测的探针接触时，即使探针对凸点电极的接触位置产生偏移，也可以防止探针接触于邻接的凸点电极。将凸点电极4a～4c配置成排列于一行，且邻接的凸点电极的一部分区域偏移。而且，使探针6a～6c接触于偏移的区域以实施电气特性检测。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：(a)在半导体晶片的芯片区域上形成多个凸点电极；以及(b)通过使锯齿状配置的探针接触于上述多个凸点电极来进行电气特性检测；且上述多个凸点电极中相邻的凸点电极形成为各自的一部分区域相互偏移。