发明名称 多层晶片电感结构改良
摘要 一种多层晶片电感结构改良,其系由数个基板体堆叠成,其主要特征在于该基板体,其内层为磁性材料(或非磁性材料),并于内电极线路旁依电气特性需求留下适当比例位置印刷有非磁性材料(或磁性材料);其中以低温共烧陶瓷技术将上述元件之堆叠共同烧制成一个陶瓷封装的晶片,而于元件封装表面留下非遮蔽性区域,该区域会造成开放性磁力线而改善晶片电感耐电流特性,进而依据其所留非遮蔽性区域之比例,俾可适当控制电感值与耐电流性之间的关系者。
申请公布号 TW519283 申请公布日期 2003.01.21
申请号 TW090221113 申请日期 2001.12.05
申请人 李明宗 发明人 李明宗
分类号 H01F41/04 主分类号 H01F41/04
代理机构 代理人 江舟峰 台北市中山区长安东路二段八十一号六楼
主权项 1.一种多层晶片电感结构改良,其系由上盖基板与下盖基板间采数个基板体堆叠成,其主要特征在于:该基板体,其内层为磁性材料,并依电气特性需求于该内层之两侧外框适当比例位置则相对印刷有非磁性材料,而该磁性材料与非磁性材料之衔接部分之适当处则制作成有一呈线路之内电极;其中以低温共烧陶瓷技术将上述元件之堆叠共同烧制成一个陶瓷封装的晶片,而于元件封装表面留下非遮蔽性区域,该区域会造成开放性磁力线而改善晶片电感耐电流特性者。2.如申请专利范围第1项所述之多层晶片电感结构改良,其中该内层之材质亦可以为非磁性材料,而其外框则相对印刷有磁性材料,以决定磁性与非磁性共同烧制成一个陶瓷封装晶片者创作。3.如申请专利范围第1项所述之多层晶片电感结构改良,其中该上、下盖基板可依设计需求运用磁性材或非磁性材者。图式简单说明:图一为习用多层晶片电感之结构分解视图;图二为习用多层晶片电感之制造流程;图三为本创作多层晶片电感之结构分解视图;图四为本创作多层晶片电感之制造流程;
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