| 主权项 |
1﹒一种于矽之存在下蚀刻氮化矽之方法,其特征系包括令氮化矽与一种H3PO4蚀刻溶液相接触之步骤,该溶液含有10-40%容积之H2SO4及足够之水使溶液于160-180℃之温度范围沸腾者。2﹒依照请求专利部份第1项所述之方法,其中该氮化矽具有一窗口,而该矽系经由该窗口被蚀刻者。3﹒依照请求专利部份第1或2项所述之方法,其中该矽系一种具有1欧姆一公分以下之电阻者。4﹒依照请求专利部份第1或2项所述之方法,其中该矽系一种具有0﹒001欧姆一公分或以下之电阻者。5﹒依照请求专利部份第1-4项中之任何一项所述之方法,其中该蚀刻溶液系含有10%容积之H2SO4及足够之水使该溶液之沸点约为160℃者。 |
