| 发明名称 |
Non-volatile, radiation-hard, random-access memory |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4887236(A) |
申请公布日期 |
1989.12.12 |
| 申请号 |
US19870057089 |
申请日期 |
1987.05.29 |
| 申请人 |
RAYTHEON COMPANY |
发明人 |
SCHLOEMANN, ERNST F. R. A. |
| 分类号 |
G11C17/02;G11C5/00;G11C11/14;G11C14/00;H01L21/8246;H01L27/10;H01L27/105 |
主分类号 |
G11C17/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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