| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆体的制造方法,该方法包括:于一基底中形成一面掺杂区;于该基底上形成一罩幕层与一图案化光阻层;以该图案化光阻层为罩幕,进行一蚀刻制程,以蚀刻该罩幕层并于该基底中形成复数个沟渠,该些沟渠将该面掺杂区分割,而形成复数条埋入式位元线;移除该光阻图案;移除该罩幕层;于该基底上形成一介电材质层;以及于该介电材质层上形成复数条字元线。2.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中于移除该光阻图案的步骤之后与移除该罩幕层之步骤之前更包括以该罩幕层为罩幕,进行一修补制程,以修补该些沟渠其侧壁与底部在该蚀刻制程所受之损坏。3.如申请专利范围第2项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该修补制程包括:以该罩幕层为罩幕,进行一热氧化制程,以在该些沟渠的侧壁与表面形成一衬氧化层;以及移除该衬氧化层。4.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该介电材质层包括一氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该介电材质层包括一氧化矽/氮化矽/氧化矽复合层。6.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该罩幕层包括氮化矽层。7.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中形成该罩幕层于该基底之前更包括形成一垫氧化矽层。8.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中形成该面掺杂区之方法包括离子植入法。9.一种罩幕式唯读记忆体的制造方法,该方法包括:于一基底中形成一面掺杂区;于该基底上形成一罩幕层与一第一图案化光阻层;以该第一图案化光阻层为罩幕,进行一蚀刻制程,以蚀刻该罩幕层并于该基底中形成复数个沟渠,该些沟渠之底部分别作为复数个欲编码区域,且该些沟渠将该面掺杂区分割,而形成复数条埋入式位元线;移除该第一图案化光阻层;移除该罩幕层;于该基底上形成一闸介电层;于该闸介电层上形成复数条字元线;于该基底上形成第二图案化光阻层,该第二图案化光阻层具有复数个开口,该些开口位于部分该些欲编码区域之上方;以及以该第二图案化光阻层为罩幕,进行一离子植入制程,以于该些开口下方之该些欲编码区域中形成复数个编码之离子植入区。10.如申请专利范围第9项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中于移除该第一图案化光阻层的步骤之后与移除该罩幕层之步骤之前更包括以该罩幕层为罩幕,进行一修补制程,以修补该些沟渠其侧壁与底部在该蚀刻制程所受之损坏。11.如申请专利范围第10项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该修补制程包括:以该罩幕层为罩幕,进行一热氧化制程,以在该些沟渠的侧壁与表面形成一衬氧化层;以及移除该衬氧化层。12.如申请专利范围第9项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该闸介电层包括氧化矽层。13.如申请专利范围第9项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该罩幕层包括氮化矽层。14.如申请专利范围第9项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中形成该罩幕层于该基底之前更包括形成一垫氧化矽层。15.如申请专利范围第9项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中形成该面掺杂区之方法包括离子植入法。16.一种氮化矽唯读记忆体的制造方法,该方法包括:于一基底形成一面掺杂区;于该基底上形成一罩幕层与一图案化光阻层;以该图案化光阻层为罩幕,进行一蚀刻制程,以蚀刻该罩幕层并于该基底中形成复数个沟渠,该些沟渠将该面掺杂区分割,而形成复数条埋入式位元线;移除该光阻图案;移除该罩幕层;于该基底上形成一电荷陷入层;以及于该电荷陷入层上形成复数条字元线。17.如申请专利范围第16项所述之氮化矽唯读记忆体的制造方法,其中于移除该光阻图案的步骤之后与移除该罩幕层之步骤之前更包括以该罩幕层为罩幕,进行一修补制程,以修补该些沟渠其侧壁与底部在该蚀刻制程所受之损坏。18.如申请专利范围第17项所述之氮化矽唯读记忆体的制造方法,其中该修补制程包括:以该罩幕层为罩幕,进行一热氧化制程,以在该些沟渠的侧壁与表面形成一衬氧化层;以及去除该衬氧化层。19.如申请专利范围第16项所述之氮化矽唯读记忆体的制造方法,其中该捕捉层包括一氧化矽/氮化矽/氧化矽复合层。20.如申请专利范围第16项所述之氮化矽唯读记忆体的制造方法,其中形成该面掺杂区之方法包括离子植入法。21.一种非挥发性记忆体,该非挥发性记忆体包括:一基底;复数条埋入式位元线,位于该基底中,其中相邻二埋入式位元线之间系以一隔离结构加以隔离;复数条字元线,覆盖于该基底以及该些隔离结构上,且与该些埋入式位元线以及该些隔离结构相交错;以及一介电材质层,位于该基底与该些字元线之间。22.如申请专利范围第21项所述之非挥发性记忆体,其中该介电材质层包括一氧化矽/氮化矽/氧化矽复合层。23.如申请专利范围第21项所述之非挥发性记忆体,其中该隔离结构包括一沟渠。24.如申请专利范围第21项所述之非挥发性记忆体,其中该介电材质层包括一氧化矽层。25.如申请专利范围第21项所述之非挥发性记忆体,其中该字元线包括多晶矽。26.如申请专利范围第21项所述之非挥发性记忆体,其中该字元线包括掺杂多晶矽。图式简单说明:第1A图至第1F为绘示本发明较佳实施例之一种罩幕式唯读记忆体的制造流程剖面图;以及第2A图至第2F图为绘示本发明较佳实施例之一种氮化矽唯读记忆体(NROM)的制造流程剖面图。 |
