| 主权项 |
1.一种具有片材本体的测试探针之制造方法,包括:分别准备三个矽基板或是片材(40,44,45),其中一氧化矽层(43)系形成于该第一及第二矽片材(40,44)之面,而一氧化矽层(43)系形成于该第三矽片材(45)之各面之上,且其中该第一矽片材(40)具较大厚度的步骤;将该三个矽片材接合在一起而配置该较厚矽片材(40)于顶部,将顶部较厚的第一矽片材制作成图形以便在该氧化矽膜(43)上形成一个矽突起(41)和一个相关的平面矽图形(或互连结构)(42)的步骤;藉由利用一乾蚀刻技术或是雷射束蚀刻技术形成一穿透该平面矽图形(42)且位于各第二、第三矽片材(44.45)底下的穿孔(51),在该穿孔(51)的内部表面上形成一由二氧化矽或有机物质制成的绝缘膜(52)的步骤;将氧化矽膜(43)由研磨或CMP去除后,依照光微影印刷技术以选择性的蚀刻该第三矽片材(45)形成之构造的步骤;在该绝缘片材(16)的顶部和底部表面上施行电镀处理而在该矽突起(41)平面矽图形(42)、以及底部矽图形(61)上形成一些铜膜(62)以填充该穿孔(51)的步骤;藉由覆被和硬化在该多重层片材的整个底部表面上形成一光阻膜(63),随后藉由施行蚀刻而形成一孔洞(64)以抵达该底部矽图形(6l)的该铜膜(62)上的步骤;施行另一个铜电镀程序以便利用一形成于该矽突起(41)和平面矽图形(42)上的遮罩膜(66)在该底部和表面上形成一铜膜(65)的步骤,而该底部表面上的孔洞(64)内也是填充以铜膜(65),以便留下该遮罩(66)直到形成内部布线层(18)为止;进行想要次数的叠代,其中将底部铜膜(66)制作成图形,随后藉由覆被形成另一绝缘膜(67),于其上施形蚀刻以形成一孔洞(48),再于其上施行铜电镀及图形制作以形成一交连结构层(69)的步骤;以及形成了想要数目的交连结构层(65)和(69)之后,去除该顶部表面上的遮罩(66),随后藉由镍电镀于一突出电极(12)、交连结构(13)、和一底部电极(19)上形成一镍膜(70)并藉由全电镀以形成一全膜(71)的步骤。2.如申请专利范围第1项之具有片材本体的测试探针之制造方法,其中每一个该第一电极都包含一个其高度大于该第二电极之高度的突起。3.如申请专利范围第2项之具有片材本体的测试探针之制造方法,其中该突起包含了矽材料。4.如申请专利范围第1项之具有片材本体的测试探针之制造方法,其中该片材本体包含一个绝缘片材以及一个含有至少一个用来施行该交连结构上某一部位之导电层的布线片材。5.如申请专利范围第4项之具有片材本体的测试探针之制造方法,其中该绝缘片材包含了氧化矽材料。6.如申请专利范围第4项之具有片材本体的测试探针之制造方法,其中该绝缘片材含有许多用来收纳该交连结构上某一部位之穿孔。7.如申请专利范围第1项之具有片材本体的测试探针之制造方法,其中该第一电极是依其节距小于用来配置该第二电极之节距的方式加以配置的。8.如申请专利范围第1项之具有片材本体的测试探针之制造方法,其中又包括一个含有其上装设了许多第三电极之二维顶部表面及其上装设了许多第四电极之二维底部表面的各向异性导电片材,该至少一个第三电极会对应到该至少一个第二电极上。9.如申请专利范围第8项之具有片材本体的测试探针之制造方法,其中该各向异性导电片材包含一个树脂本体以及许多配置于该树脂本体内的金属线。10.如申请专利范围第1项之具有片材本体的测试探针之制造方法,其中该片材本体的厚度是等于或小于100微米。图式简单说明:第1图系用以显示根据本发明第一实施例之测试探针的俯视图。第2图系沿第1图中II-II线段所作的侧视图。第3图系沿第1图中III-III线段所作的侧视图。第4图系用以显示连接到一个测试板上之第1图测试探针的截面图。第5A-5Q图系用以显示一种用于制造第1图测试探针之方法中各连续制造步骤的截面图。第6A-6K图系用以显示用于形成第1图测试探针内突起之各连续制造步骤的截面图。第7图系用以显示根据本发明第二实施例之测试探针的截面图。第8图系用以显示根据本发明第三实施例之测试探针的截面图。 |
