| 主权项 |
1.一种平板总成,其包含:一板,系设置在一处理室中以在一真空环境下进行一处理,一工作件则被放置在该板上;及,一垫,系形成在该板上且具有一设有多数凹孔之表面,使得该处理室之真空环境可以被施加于与该垫接触之该工作件之一后表面。2.如申请专利范围第1项之平板总成,其中该处理室之真空度系不小于1010-3Torr。3.如申请专利范围第1项之平板总成,其中该平板总成具有一圆盘形状。4.如申请专利范围第1项之平板总成,其中该平板总成具有较该工作件更宽之区域以使该工作件之后表面与该垫之表面完全接触。5.如申请专利范围第1项之平板总成,其中该等凹孔具有一由该垫之一第一端侧延伸至一相对该垫之第一端侧的第二端侧之槽形。6.如申请专利范围第1项之平板总成,其中该垫系由一非铁金属材料构成。7.如申请专利范围第6项之平板总成,其中该垫系由一橡胶材料构成。8.如申请专利范围第1项之平板总成,其中该工作件系一用以制造一半导体装置之晶圆。9.一种处理装置,其包括:一处理室,用以在一真空环境下进行一制程者;一平板总成,包括一设置在一用以在该真空环境下进行一制程的处理室中之板,而一工作件被放置在该板上,及一垫,该垫系形成在该板上且具有一设有多数凹孔之表面,使得该处理室之真空环境可以被施加于与该垫接触之该工作件之一后表面;一升降销,系用以支持该工作件者,当在该平板总成上之该工作件移动时,该升降销之末端与该工作件之后表面之一预定部份接触,且该升降销延伸穿过该平板总成以上下移动;及一升降机,系用以使该升降销上下移动者,在该平板总成上之该工作件移动时,该升降机与该升降销连接。10.如申请专利范围第9项之处理装置,更包含:一凸缘,其系接连地设置在一第一周缘部份及该平板总成之一后表面处以引导该工作件朝向该平板总成,该凸缘系依据该升降机之上下移动而水平地移动;及一围板,其系设置在相对该第一周缘部份之该平板总成之一第二周缘部份,且该围板面向该凸缘以支持被该凸缘所支持之工作件。11.如申请专利范围第9项之处理装置,更包含一机械手臂,其系用以由该处理室外载送该工作件至该平板总成并且由该平板总成载送至该处理室外。12.如申请专利范围第11项之处理装置,其中该机械手臂具有一Y型的形状且在与该工作件之后表面接触之状态下载送该工作件。13.如申请专利范围第9项之处理装置,其中该处理室之真空度系不小于1010-3Torr。14.如申请专利范围第9项之处理装置,其中该平板总成具有一圆盘形状。15.如申请专利范围第9项之处理装置,其中该平板总成具有较该工作件更宽之区域以使该工作件之后表面与该垫之表面完全接触。16.如申请专利范围第9项之处理装置,其中该等凹孔具有一由该垫之一第一端侧延伸至一相对该垫之第一端侧的第二端侧之槽形。17.如申请专利范围第9项之处理装置,其中该垫系由一包括一橡胶材料之非铁金属材料构成。18.如申请专利范围第9项之处理装置,其中该处理装置具有至少两升降机销。19.如申请专利范围第9项之处理装置,其中该工作件是一用以制造一半导体装置之晶圆,并且该处理装置是一用以形成一膜于该晶圆上之装置。20.如申请专利范围第9项之处理装置,其中该工作件是一用以制造一半导体装置之晶圆,并且该处理装置是一用以将离子植入该晶圆之离子植入机。图式简单说明:第1图是一示意图,显示一习知处理装置;第2图是一示意图,说明藉操作如第1图所示之处理装置而载送一晶圆之状态;第3图是一示意图,显示一本发明之一实施例之处理装置;第4图是一示意图,显示一本发明之实施例之离子植入机;第5图是一示意图,显示一本发明之实施例之膜成形装置;第6图是一立体图,显示一设置在本发明之实施例之膜成形装置中的平板总成;第7图是一沿着第6图中之线Ⅶ-Ⅶ所截取之该平板总成的截面图;第8图是一示意图,用以显示一设置在第3图之处理装置中的机械手臂;及第9图是一示意图,说明一藉第3图中之处理装置而举起被放在该平板总成上之晶圆之状态。 |
