| 发明名称 |
METHOD OF FORMING METAL PATTERN OF MOS TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR0165759(B1) |
申请公布日期 |
1999.02.01 |
| 申请号 |
KR19950006371 |
申请日期 |
1995.03.24 |
| 申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS IND. CO.,LTD |
发明人 |
HWANG, JUN |
| 分类号 |
H01L21/3205;H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/320 |
主分类号 |
H01L21/3205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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