| 发明名称 | 半导体器件的曝光掩模及其制造方法 | ||
| 摘要 | 用于形成微细图形的曝光掩模，包括透明衬底，在透明衬底上形成的遮光膜图形，和在发生绕射效应的铬图形的区域上形成的辅助图形。借助辅助图形，可防止由绕射效应而减小图形尺寸的现象出现。因此，可正确地形成具有预定尺寸的图形。各辅助图形具有条形，倒三角形或倒Ｕ形。 | ||
| 申请公布号 | CN1049298C | 申请公布日期 | 2000.02.09 |
| 申请号 | CN96106890.6 | 申请日期 | 1996.07.01 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 韩镇洙 |
| 分类号 | H01L21/027;H01L21/308 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余朦 |
| 主权项 | 1.一种用于形成微细图形的曝光掩模，包括：石英衬底；在所述石英衬底上形成的铬图形；所述铬图形具有由微细线条构成的凸结构或凹结构；其特征在于所述曝光掩模还包括：在所述凸结构或凹结构微细线条的整个宽度上产生绕射效应的区域形成的辅助图形。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||