| 主权项 |
1.一种角落补偿方法,系应用于微机电制程中,其步骤系包含:(a)提供一基板;(b)提供一导电层于该基板上;(c)提供一具有结构形状开口之遮罩层及一光阻层于该导电层上;(d)以一光罩微影蚀刻以形成该光阻层,接着对该遮罩层进行蚀刻,藉以贯穿该遮罩层而形成至少一开孔;(e)同时蚀刻该光阻层、该导电层及该基板,以使该开孔向下延伸至部分该基板;(f)去除该光阻层、并透过该结构形状开口处向下蚀刻该导电层及该基板,藉以形成不同深度之深槽结构;(g)形成一周边补强结构于该不同深度之深槽结构之周边;(h)去除水平方向之该周边补强结构以及部分该基板以露出未补强之矽结构;以及(i)侧蚀该未补强之矽结构,并终止于该开孔二侧之该周边补强结构。2.如申请专利范围第1项之补偿方法,其中该步骤(a)中之该基板系指一矽基板。3.如申请专利范围第1项之补偿方法,其中该导电层为一掺硼矽导电层。4.如申请专利范围第1项之补偿方法,其中该步骤(b)中之该遮罩层系包括氧化矽(SiOx)材质。5.如申请专利范围第1项之补偿方法,其中该步骤(e)系藉由一深活性离子蚀刻法以完成。6.如申请专利范围第1项之补偿方法,其中该步骤(f)系藉由一深活性离子蚀刻法以完成。7.如申请专利范围第1项之补偿方法,其中该步骤(g)中之该周边补强结构系藉由抗湿蚀刻材质如掺硼矽以完成。8.如申请专利范围第1项之补偿方法,其中该步骤(h)系藉由一深活性离子蚀刻法以完成。9.如申请专利范围第1项之补偿方法,其中该步骤(i)系藉由一矽湿蚀刻法以完成。10.一种应用角落补偿方法所形成之结构,系应用于微机电制程中,其包含:一基板;一支撑结构,自该基板中呈圆柱状向上延伸;一平台结构,其系圈绕该支撑结构,并藉由该之支撑结构以与该基板成平行排列;以及一周边补强结构,其系形成于该平台结构之周壁上,藉以保护该平台结构。11.如申请专利范围第10项之结构,其中该基板系指一矽基板。12.如申请专利范围第10项之结构,其中该微型平台上又包含一导电结构。13.如申请专利范围第12项之结构,其中该导电结构系藉由掺硼矽材质以完成。14.如申请专利范围第12项之结构,其中该导电结构上更包含一遮罩层。15.如申请专利范围第14项之结构,其中该遮罩层系以选自氧化矽(SiOx)来完成。16.如申请专利范围第10项之结构,其中该周边补强结构系藉由硼扩散矽材质以完成。图式简单说明:第一图(a)-(f):其系典型使用(111)晶片制程之HARMs致动器制造方法步骤流程图。第二图(a):(111)晶片结构被底切过程之未作角落补偿之示意图。第二图(b):(111)晶片结构被底切过程之利用硼支柱作角落补偿之示意图。第三图:其系本案较佳实施例之结构平面示意图。第四图(a)-(h):其系本案较佳实施例之制造方法步骤流程图。第五图(a)-(h):其系本案另一较佳实施例之微形平台制造方法步骤流程图。 |
