| 摘要 |
<p>본 발명은 소오스-게이트-표류영역-드레인이 수평으로 배치된, 소위 LDMOS(lateral double diffused MOS) 구조를 갖는 100V급 이상의 수평 전계효과(field effect) 고압소자(high voltage device)를 제조하는데 있어서, 동작내압을 개선하기 위한 표류층 내부로 웰이 확장된 고압소자에 관한 것이다. 본 발명에서는 게이트 밑 활성영역의 가장자리와 드레인 가장자리에서 일어나는 전압항복을 개선하기 위한 방법으로서, 첫째로, 도면부호 '1'과 같이 표류영역의 하부에 고에너지로 웰과 같은 붕소(Boron)을 깊숙히 이온주입하여 웰을 확장, 침투시켜 준다. 그 결과 드레인의 높은 전압에 의하여 도면부호 '36'과 '37'에서 발생되는 강한 수평전계가 수직 성분으로 분산됨으로써 증가가 억제되고 "off" 상태에서의 항복전압이 개선된다. 한편, "on"시 드레인에 전압항복이 일어나는 것은 드레인 접합의 굴곡이 급격하고 전자가 이 협소한 반도체 표면 지역으로 전자의 흐름이 몰림에 따라 전계가 강하게 형성되어 유발되는 전자의 충격이온화(impact ionization)에 의한 것으로서, 도면부호 '26'과 같이 드레인 하부를 트렌치(trench) 구조로 깊숙히 파서 이 내부에서 도핑하고, 여기에 금속을 채워서 외부 드레인 단자를 형성해 주면 접합의 굴곡도 완화되고, 전자의 흐름을 '38'의 지역에서 수직으로 길게 분산되어 드레인 전압항복을 개선할 수가 있다.</p> |
