发明名称 堆栈闸极快闪存储装置的制造方法
摘要 一种堆栈闸极快闪存储装置的制造方法,包括以下步骤:提供一基底;在基底上形成多个堆栈闸极,每一堆栈闸极包括一第一绝缘层、位于第一绝缘层上的一第一闸极层、位于第一闸极层上的一第二绝缘层、位于第二绝缘层上的一第二闸极层以及位于第二闸极层上的第三绝缘层;在堆栈闸极之间形成在基底中的多个源极及汲极掺杂区;在堆栈闸极侧壁形成一间隙壁;在堆栈闸极间填满一第一导电层;在与源极掺杂区连接的第一导电层上形成一第四绝缘层;沉积一第二导电层,第二导电层与汲极掺杂区上方的第一导电层连接,并藉由第四绝缘层与源极掺杂区上方的第一导电层绝缘。
申请公布号 CN1194406C 申请公布日期 2005.03.23
申请号 CN02103500.8 申请日期 2002.02.06
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 谢佳达
分类号 H01L21/8239;H01L21/8246 主分类号 H01L21/8239
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 李强
主权项 1.一种堆栈闸极快闪存储装置的制造方法,其特征是:包括以下步骤:提供一基底;在该基底上形成复数堆栈闸极,每一堆栈闸极包括一第一绝缘层、位于该第一绝缘层上的一第一闸极层、位于该第一闸极层上的一第二绝缘层、位于该第二绝缘层上的一第二闸极层以及位于该第二闸极层上的第三绝缘层;在该些堆栈闸极之间形成在该基底中的复数源极及汲极掺杂区;在该些堆栈闸极侧壁形成一间隙壁;在该些堆栈闸极间填满一第一导电层;在与该源极掺杂区连接的该第一导电层上形成一第四绝缘层;以及沉积一第二导电层,该第二导电层与该汲极掺杂区上方的第一导电层连接,并藉由该第四绝缘层与该源极掺杂区上方的第一导电层绝缘。
地址 台湾省新竹科学工业园区