| 发明名称 | 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 | ||
| 摘要 | 一种制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置，包括：一竖直式石英外延生长室，该竖直式石英外延生长室为筒状；一生长室加热装置，该生长室加热装置为环形，套置安装在竖直式石英外延生长室的外围；一上盖板，该上盖板固定在竖直式石英外延生长室的上面，该上盖板的中间有一圆孔；一衬底旋转与提升装置，该衬底旋转与提升装置的前端有一杆部，该杆部的头端为衬底座，该杆部与上盖板的中间圆孔滑动配合；一金属反应源放置器，该金属反应源放置器放置在竖直式石英外延生长室中；一底盘，该底盘固定则竖直式石英外延生长室的下端，该底盘上开有多个进气孔；一氨气喷淋器，该氨气喷淋器上开有多个喷口，该氨气喷淋器用管路与底盘上的氨气进气孔连接。 | ||
| 申请公布号 | CN100418193C | 申请公布日期 | 2008.09.10 |
| 申请号 | CN200510076325.9 | 申请日期 | 2005.06.14 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘喆;王军喜;钟兴儒;李晋闽;曾一平;段瑞飞;马平;魏同波;林郭强 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L31/18(2006.01);C23C16/34(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1. 一种制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置，其特征在于，包括：一竖直式石英外延生长室，该竖直式石英外延生长室为筒状；一生长室加热装置，该生长室加热装置为环形，套置安装在竖直式石英外延生长室的外围；一上盖板，该上盖板固定在竖直式石英外延生长室的上面，该上盖板的中间有一圆孔；一衬底旋转与提升装置，该衬底旋转与提升装置的前端有一杆部，该杆部的头端为衬底座，该杆部与上盖板的中间圆孔滑动配合；一金属反应源放置器，该金属反应源放置器放置在竖直式石英外延生长室中；一底盘，该底盘固定在竖直式石英外延生长室的下端，该底盘上开有多个进气孔；一氨气喷淋器，该氨气喷淋器上开有多个喷口，该氨气喷淋器用管路与底盘上的进气孔连接。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||