| 发明名称 | 新型环境半导体光电子材料β－FeSi<SUB>2</SUB>薄膜的制备工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种新型环境半导体光电子材料β－FeSi<SUB>2</SUB>薄膜的制备工艺，涉及一种Fe－Si化合物，首先采用磁控溅射方法在Si基片上沉积一层厚度50－150nm的金属Fe膜，随后在真空退火炉中880－920℃退火12－18小时获得Fe－Si化合物中的半导体相β－FeSi<SUB>2</SUB>薄膜，由于采用直流磁控溅射方法，使沉积在Si基片上的Fe膜厚度均匀、工艺简单、成本低，易于制备大面积β－FeSi<SUB>2</SUB>薄膜，易于工业化生产，又由于退火时间和温度能严格控制，产品质量稳定，重现性好。 | ||
| 申请公布号 | CN101339906A | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200810068861.8 | 申请日期 | 2008.08.12 |
| 申请人 | 贵州大学 | 发明人 | 谢泉;张晋敏;曾武贤;梁艳;肖清泉 |
| 分类号 | H01L21/363(2006.01);H01L31/18(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/363(2006.01) |
| 代理机构 | 贵阳东圣专利商标事务有限公司 | 代理人 | 徐逸心 |
| 主权项 | 1.一种新型环境半导体光电子材料β-FeSi2薄膜的制备工艺，其特征为首先采用磁控溅射方法在Si基片上沉积一层厚度50-150nm的金属Fe膜，随后在真空退火炉中880-920℃退火12-18小时获得Fe-Si化合物中的半导体相β-FeSi2薄膜。 | ||
| 地址 | 550025贵州省贵阳市花溪区贵州大学北校区科技处 | ||