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Eine Bitzelle eines nichtflüchtigen Speichers („„NVM“) umfasst einen Kondensator, einen asymmetrisch-dotierten Transistor und eine Tunnelvorrichtung. Der Kondensator, Transistor und die Tunnelvorrichtung sind jeweils elektrisch mit verschiedenen aktiven Bereichen und Metallkontakten verbunden. Die drei Vorrichtungen sind über ein Floating Gate gekoppelt, das die drei aktiven Bereiche durchquert. Die Tunnelvorrichtung ist in einem nativen Bereich gebildet, um eine größere dynamische Spanne in Bezug auf die Spannung zu erlauben, die verwendet wird, um den Tunneleffekt hervorzurufen. Die FN Tunnelvorrichtung wird verwendet, um die Vorrichtung zu löschen, was eine schnelle Seitenlöschung ermöglicht, und somit ein schnelles Testen und Überprüfen der Funktionalität. Der asymmetrische Transistor wird zusammen mit dem Kondensator dazu verwendet, den logischen Zustand des Floating Gate sowohl zu programmieren als auch zu lesen. Der Kondensator und das Floating Gate sind kapazitiv aneinander gekoppelt, wodurch der Bedarf nach einer separaten Auswahlvorrichtung zur Ausführung von Lese- und Schreibvorgängen entfällt. |
