发明名称 |
パワー半導体モジュール |
摘要 |
半導体素子で生じる熱の外部への伝導を抑制可能なパワー半導体モジュールを提供すること。セラミック基板(11)と、セラミック基板の一方の主面(11a)側に配置される半導体素子(13a,13b,14a,14b)と、半導体素子に接続される端子(22a〜22g)と、セラミック基板の他方の主面(11b)側に配置される第1の放熱部材(41)と、セラミック基板の一方の主面側において、半導体素子から間隔をあけて配置される第2の放熱部材(61)と、を備え、端子は、第2の放熱部材と接続されることを特徴とする。 |
申请公布号 |
JPWO2014050389(A1) |
申请公布日期 |
2016.08.22 |
申请号 |
JP20140538290 |
申请日期 |
2013.08.23 |
申请人 |
富士電機株式会社;日産自動車株式会社;サンケン電気株式会社 |
发明人 |
松井 康平;谷本 智;村上 善則;図子 祐輔;佐藤 伸二;谷澤 秀和 |
分类号 |
H01L25/07;H01L23/36;H01L25/18 |
主分类号 |
H01L25/07 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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