发明名称 パワー半導体モジュール
摘要 半導体素子で生じる熱の外部への伝導を抑制可能なパワー半導体モジュールを提供すること。セラミック基板(11)と、セラミック基板の一方の主面(11a)側に配置される半導体素子(13a,13b,14a,14b)と、半導体素子に接続される端子(22a〜22g)と、セラミック基板の他方の主面(11b)側に配置される第1の放熱部材(41)と、セラミック基板の一方の主面側において、半導体素子から間隔をあけて配置される第2の放熱部材(61)と、を備え、端子は、第2の放熱部材と接続されることを特徴とする。
申请公布号 JPWO2014050389(A1) 申请公布日期 2016.08.22
申请号 JP20140538290 申请日期 2013.08.23
申请人 富士電機株式会社;日産自動車株式会社;サンケン電気株式会社 发明人 松井 康平;谷本 智;村上 善則;図子 祐輔;佐藤 伸二;谷澤 秀和
分类号 H01L25/07;H01L23/36;H01L25/18 主分类号 H01L25/07
代理机构 代理人
主权项
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