ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法

摘要

ｎ型ＧａＮショットキーバリアダイオードのガードリングにｐ型酸化物半導体を用いた場合に生じる、ｎ型ＧａＮとｐ型酸化物半導体との界面トラップに起因した逆方向漏れ電流を抑制する。ガードリングをｐ型酸化ニッケルとし、該ｐ型酸化ニッケルとｎ型ＧａＮ層表面の間に酸化ガリウムが介在させ、ｐ型酸化ニッケルとｎ型ＧａＮとの界面におけるトラップの発生を抑制し、逆方向漏れ電流の増大を防ぐ。