| 主权项 |
1.一种分离复合元件之方法,该方法包含:在一复合元件内部形成一分离层;在该分离层内部形成一应力提升层,于其中一平面内应力集中产生至其本身不致引起分离的程度;及加大该平面内应力以使该应力提升层破裂。2.如申请专利范围第1项之分离复合元件之方法,其中该应力提升层是形成于该分离层的内部,使得该分离层之X光绕射尖峰至少有两个偏离一参考尖峰而且其间分开0.01度或更多。3.如申请专利范围第1项之分离复合元件之方法,其中于该应力提升层中的该平面内应力是1x107dyne/cm2或更大。4.如申请专利范围第1项之分离复合元件之方法,其中该应力提升层之形成是在该分离层中形成有复数区域,于其中该分离层内部中的拉曼光谱尖峰位移之差异有-0.1cm-1或更多。5.如申请专利范围第1项之分离复合元件之方法,其中该分离层之X光绕射尖峰至少有两个偏离一参考尖峰而且其间分开0.01度或更多,而且其中该平面内应力是1x107dyne/cm2或更大。6.如申请专利范围第1项之分离复合元件之方法,其中该分离层是微孔洞。7.如申请专利范围第6项之分离复合元件之方法,其中具有微孔洞之该分离层包含由阳极化处理形成的多孔层。8.如申请专利范围第1.2.3.4或5项所述之分离复合元件之方法,其中该分离层包含孔隙度彼此不同之复数多孔层。9.如申请专利范围第1.2.3.4或5项所述之分离复合元件之方法,其中该分离层包含孔隙度彼此不同之复数多孔层,而且其中在该些复数多孔层中该应力提升层是形成于高孔隙度的多孔层中。10.如申请专利范围第1项之分离复合元件之方法,其中该应力提升层之厚度是2微米或更小。11.如申请专利范围第1项之分离复合元件之方法,其中该应力提升层之厚度是0.1微米或更小。12.如申请专利范围第1项之分离复合元件之方法,其中一流体喷射在形成于复合元件侧表面的凹陷或狭缝以放大该平面内应力,从而分离该复合元件。13.如申请专利范围第1项之分离复合元件之方法,其中一楔插入形成于复合元件侧表面的凹陷或狭缝以放大该平面内应力,从而分离该复合元件。14.如申请专利范围第1项之分离复合元件之方法,其中一震动能被施加于复合元件上以放大该平面内应力,从而分离该复合元件。15.如申请专利范围第1项之分离复合元件之方法,其中该应力提升层之形成是在厚度至少1微米的多孔层形成之后,该多孔层的孔内壁表面受到氧化以形成氧化物薄膜,该些形成于多孔内壁表面的氧化物薄膜自该多孔层的层表面被移除至少微米的深度,使得该些氧化物薄膜仅存在于该多孔层的较低部分。16.如申请专利范围第1项之分离复合元件之方法,其中该应力提升层之形成是在该分离层的较高及较低侧的层区域间产生温差。17.如申请专利范围第1项之分离复合元件之方法,其中该应力提升层之形成是弯曲该复合元件,且以该状态分离该复合元件。18.如申请专利范围第1项之分离复合元件之方法,其中该应力提升层是一多孔层,其形成于孔内壁表面上的氧化物薄膜于该多孔层的层厚度方向具有不同结构。19.如申请专利范围第1项之分离复合元件之方法,其中在该应力提升层形成之后及直到该分离层破裂之间的期间温度为1,100℃或更高的加热不实施。20.如申请专利范围第1项之分离复合元件之方法,其中该分离层包含至少一在其孔内壁表面具有氧化物薄膜的多孔层。21.一种分离复合元件之方法,该方法包含:在第一基质表面形成厚度至少1微米之多孔层;氧化该多孔层的孔内壁表面以形成氧化物薄膜;移除形成于孔内壁表面之氧化物薄膜至离该多孔层的层表面至少1微米的深度以留存该些氧化物薄膜于该多孔层的较低部分;在该多孔层的表面形成一非多孔性层;结合该非多孔性层至一第二基质以形成一内部具有分离层之复合元件;使该分离层产生一裂缝以分离该复合元件。22.一种分离复合元件之方法,该方法包含:在第一基质表面形成第一多孔层及孔隙度高于第一多孔层之第二多孔层;氧化该第一及第二多孔层以在该第一多孔层的孔内壁表面形成氧化物薄膜以及使该第二多孔层非晶形化;在该第一多孔层的层表面形成一非多孔性层;结合该非多孔性层至第二基质以形成内部具有分离层的复合元件;及使该分离层产生一裂缝以分离该复合元件。23.一种分离复合元件之方法,该方法包含:制作具有分离层之复合元件;弯折该复合元件;及使该分离层产生一裂缝以分离该复合元件。24.一种分离复合元件之方法,该方法包含:制作具有分离层之复合元件;在分离层中产生温差以分离该复合元件;及使该分离层产生一裂缝以分离该复合元件。图式简单说明:图1A,1B,1C,1D及1E是依照本发明之分离方法及薄膜制造方法的示意剖视图。图2A及2B显示具有使用于本发明之分离层的基质之两条X光绕射摇摆曲线。图3A及3B是显示于分离层中引起裂痕的状态之示意剖面图。图4是显示由拉曼光谱测得使用于本发明之多孔层中的内部应力之深轮廓的例子。图5A及5B是显示用于依照本发明制造薄膜的步骤中的多孔层之X光绕射摇摆曲线的例子。图6是本发明的分离方法的例子之示意剖面图。图7A,7B及7C是使用于本发明之分离层形成步骤的示意剖面图。图8是具有使用于本发明之分离层的基质之X光绕射摇摆曲线的例子。图9A及9B是使用于本发明之另一分离层形成步骤的示意剖面图。图10A,10B,10C及10D是显示依照本发明的复合元件分离方法的示意剖面图。图11A,11B,11C及11D是显示依照本发明的另一复合元件分离方法的示意剖面图。图12A,12B,12C及12D是显示依照本发明的另一复合元件分离方法的示意剖面图。图13A,13B,13C,13D,13E,13F及13G是显示依照本发明的分离方法及薄膜制造方法的示意剖面图。 |
