| 主权项 |
1.一种使凸块高度增加之凸块制作(bumping process)方法,该方法至少包括下列步骤:提供一半导体晶片,其中该半导体晶片上已制作半导体元件与电路,且在该晶片上表面具有一焊垫,用以提供电性连结;形成护层于该半导体晶片与该焊垫上,其中该护层暴露出该焊垫上表面;形成金属复合层于该护层与该焊垫表面上;依序涂布第一光阻层与第二光阻层于该金属复合层上;分别使用两道光罩对该第一光阻层与该第二光阻层进行曝光程序;显影该第一光阻层与该第二光阻层,以定义出开口结构,其中该第一光阻层具有较窄开口,该第一光阻层之开口位于该金属复合层正上方,而该第二光阻层具有较宽开口,且该第二光阻层之开口位于该第一光阻层之开口正上方,而构成一上宽下窄之T型开口结构,并暴露出部份该金属复合层表面;形成一凸块于该T型开口结构中,并填满该T型开口结构;去除该第一光阻层与该第二光阻层;热流该凸块以形成球状结构;且利用该球状结构为蚀刻罩幂,对该阻障层进行蚀刻。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之护层材料可选择聚亚醯胺(polyimide,PI)、BCB、氮化矽或其任意组合。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第一光阻层与该第二光阻层具有不同的反应光频范围。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该金属复合层至少包含位于下方的阻障层与位于上方的导电层。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述之阻障层材料可选择钛、铬、或其任意组合。6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述之导电层材料可选择铜、镍、或其任意组合。7.一种使凸块的高度增加之凸块制程(bumping process)方法,该制程方法至少包括:提供一半导体晶片,该半导体晶片已制作半导体元件与电路,且在该晶片上表面已具一焊垫,用以提供电性连结;形成护层于该半导体晶片与该焊垫上,其中该护层暴露出该焊垫上表面;形成阻障层于该护层与该焊垫表面上;依序涂布第一光阻层与第二光阻层于该阻障层上;分别使用两道光罩对该第一光阻层与该第二光阻层进行曝光程序;显影该第一光阻层与该第二光阻层,以定义出开口结构,其中该第一光阻层具有较窄开口,以暴露出该阻障层,而该第二光阻层具有较宽开口,并位于该第一光阻层之开口正上方,而构成一上宽下窄之T型开口结构;形成导电层于该T型开口结构中之该阻障层上;形成凸块于该T型开口结构中,并填满该T型开口结构;去除该第一光阻层与该第二光阻层;热流该凸块以形成球状结构;且利用该球状结构为蚀刻罩幂,对该阻障层进行蚀刻。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中上述之护层材料可选择聚亚醯胺(polyimide,PI)、BCB、氮化矽或其任意组合。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中上述之第一光阻层与该第二光阻层具有不同的反应光频范围。10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中于涂布该第一光阻与该第二光阻前,更包含在该阻障层上形成铜种子层的步骤。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中于蚀刻去除该阻障层前,先一步去除该铜种子层。12.如申请专利范围第7项所述之方法,其中上述之阻障层材料可选择钛、铬、或其任意组合。13.如申请专利范围第7项所述之方法,其中上述之导电层材料可选择铜、镍、或其任意组合。图式简单说明:图一系为本发明之一实施例形成凸块之横截面示意图,系于晶片上依序形成金属焊垫、护层、金属复合层、及第一层光阻层。图二系为本发明之一实施例形成凸块之横截面示意图,系于已形成金属焊垫、护层、金属复合层、及第一层光阻层之晶片上,形成一反应光频与第一层光阻层之反应光频互不重叠之第二层光阻层。图三系为本发明之一实施例形成凸块之横截面示意图,系于第一层光阻层中以第一种光频之光源显影以形成a显影区域,并于第二层光阻层中以第二种光频之光源显影以形成b显影区域。图四系为本发明之一实施例形成凸块之横截面示意图,系于T型开口结构中形成焊接凸块。图五系为本发明之一实施例形成凸块之横截面示意图,系以热回流将焊接凸块形成锡球并蚀刻去除金属复合层。 |
