| 发明名称 | 用于绝缘体上硅集成电路的掩埋图形的导体层 | ||
| 摘要 | 一种使用掩埋的图形层形成分立器件功能的导电体、热导体和/或去耦电容器的绝缘体上硅器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1230788A | 申请公布日期 | 1999.10.06 |
| 申请号 | CN99104111.9 | 申请日期 | 1999.03.17 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | T·A·克里斯蒂森;J·E·希特斯二世 |
| 分类号 | H01L27/12;H01L21/74;H01L21/768 | 主分类号 | H01L27/12 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;王岳 |
| 主权项 | 1．一种半导体电路，包括：(a)一种具有掺杂第一掺杂剂的第一部分和掺杂第二掺杂剂的第二部分的导电衬底；(b)绝缘层；(c)掺杂杂质形成第一器件和第二器件的有源层；(d)电连接所述第一器件和所述第一部分的所述第一导体；以及(e)电连接所述第二器件和所述第二部分的第二导体。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||