| 发明名称 | 构图和膜形成方法、电致发光器件及其制造方法以及电致发光显示装置 | ||
| 摘要 | 公开了一种构图方法，其包括构图步骤，所述构图步骤包括曝光基底，所述基底包括：(a)衬底；(b)光催化剂层，形成在部分所述衬底上并且包含光催化剂；以及(c)构图层，形成在包括所述衬底(a)和所述光催化剂层(b)的基底的上表面上，所述构图层通过所述光催化剂的作用可分解；由此分解并且去除在所述光催化剂层(c)上的所述构图层，以暴露所述光催化剂层的至少部分上表面。根据该方法，提供高分辨率并且低成本的EL器件和电致发光显示装置。 | ||
| 申请公布号 | CN101027608A | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
| 申请号 | CN200580032293.0 | 申请日期 | 2005.09.22 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 福地隆 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01);H01L51/40(2006.01) | 主分类号 | G03F7/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种构图方法，包括构图步骤，所述构图步骤包括曝光基底，所述基底包括：(a)衬底；(b)光催化剂层，形成在部分所述衬底上并且包含光催化剂；以及(c)构图层，形成在包括所述衬底(a)和所述光催化层(b)的基底的上表面上，所述构图层通过所述光催化剂的作用可分解；由此分解并去除所述光催化剂层(b)上的所述构图层(c)，以暴露所述光催化剂层(b)的至少部分上表面。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||