改善反向恢复特性及雪崩能力的超结MOS器件

摘要

本实用新型涉及一种改善反向恢复特性及雪崩能力的超结MOS器件，其包括器件区域及终端区域，由第一导电类型柱区和第二导电类型柱区交替排列所构成的超结结构，并存在于器件区域和终端区域中。在器件区域设置有多个不相邻的第二导电类型体区，在终端区域设置有第二导电类型保护区；器件区域内任意一处第二导电类型体区与第一导电类型漂移区之间不直接相邻，被第二导电类型器件柱隔离；终端区域任意一处第二导电类型保护区与第一导电类型漂移区之间不直接相邻，被第二导电类型终端柱隔离。本实用新型在不增加工艺难度和制造成本的前提下，改善了器件反向恢复特性和雪崩能力。

主权项

一种改善反向恢复特性及雪崩能力的超结MOS器件，在所述MOS器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的器件区域及终端区域，所述器件区域位于半导体基板的中心区，终端区域位于所述器件区域的外圈并环绕包围所述器件区域；在所述MOS器件的截面上，所述半导体基板包括位于上方的第一导电类型漂移区以及位于下方的第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底邻接第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区的上表面形成半导体基板的第一主面，第一导电类型衬底的下表面形成半导体基板的第二主面；在第一导电类型漂移区内设置若干第一导电类型柱以及第二导电类型柱，第一导电类型柱、第二导电类型柱从半导体基板的第一主面向指向第二主面的方向垂直延伸，第一导电类型柱与第二导电类型柱在第一导电类型漂移区内呈交替排列分布；所述第一导电类型柱包括位于器件区域内的第一导电类型器件柱以及位于终端区域内的第一导电类型终端柱，第二导电类型柱包括位于器件区域内的第二导电类型器件柱以及位于终端区域内的第二导电类型终端柱；其特征是：第二导电类型器件柱内的上部设有第二导电类型体区，第二导电类型体区位于第二导电类型器件柱内，且第二导电类型体区通过第二导电类型器件柱与第一导电类型漂移区相隔离；第二导电类型器件柱的掺杂浓度低于第二导电类型体区的掺杂浓度；第二导电类型终端柱内设有第二导电类型保护区，所述第二导电类型保护区位于第二导电类型终端柱内，且第二导电类型保护区通过第二导电类型终端柱与第一导电类型漂移区相隔离；第二导电类型终端柱的掺杂浓度低于第二导电类型保护区的掺杂浓度。