首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 PROCEDIMENTO PER LA FABBRICAZIONE DI RESISTORI DI CARICO AD ELEVATA RESISTENZA OHMICA E DI TRANSISTORI MOS CON PICCOLA TENSIONE DI INNESCO
摘要
申请公布号 IT993410(B) 申请公布日期 1975.09.30
申请号 IT19730029330 申请日期 1973.09.25
申请人 SIEMENS AG 发明人
分类号 H01L27/04;H01L21/822;H01L27/07;H01L29/00;H01L29/78;(IPC1-7):H01L/ 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com