发明名称 |
NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE |
摘要 |
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申请公布号 |
JPH03248399(A) |
申请公布日期 |
1991.11.06 |
申请号 |
JP19900043617 |
申请日期 |
1990.02.23 |
申请人 |
MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
发明人 |
NAKAYAMA TAKESHI;TERADA YASUSHI;MIYAWAKI YOSHIKAZU;KOBAYASHI KAZUO;HAYASHIGOE MASANORI;KOBAYASHI SHINICHI |
分类号 |
G11C29/00;G11C29/04;H01L27/00;H01L27/10 |
主分类号 |
G11C29/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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