发明名称 具有改良式位元线之记忆体装置
摘要 一种具有高充电电位位元线之记忆体装置,包含有记忆体晶胞、感应放大器及高充电电位位元电路。其中记忆体晶胞,用以储存资料,并与位元线对电性耦合;感应放大器,具有感应节点,该感应节点分别与该位元线对电性耦合,于该记忆体晶胞开启时,分别感应该感应节点之电位差;以及高充电电位位元电路,用以提供一充电电位,该充电电位高于该复数个记忆体之一逻辑高电位之电位,以进行记忆体之充电动作。
申请公布号 TW200300051 申请公布日期 2003.05.01
申请号 TW091135606 申请日期 2002.12.09
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 陈健中
分类号 G11C7/12 主分类号 G11C7/12
代理机构 代理人 陈达仁;谢德铭
主权项
地址 新竹科学工业园区新竹市研新三路四号