发明名称 | 具有改良式位元线之记忆体装置 | ||
摘要 | 一种具有高充电电位位元线之记忆体装置,包含有记忆体晶胞、感应放大器及高充电电位位元电路。其中记忆体晶胞,用以储存资料,并与位元线对电性耦合;感应放大器,具有感应节点,该感应节点分别与该位元线对电性耦合,于该记忆体晶胞开启时,分别感应该感应节点之电位差;以及高充电电位位元电路,用以提供一充电电位,该充电电位高于该复数个记忆体之一逻辑高电位之电位,以进行记忆体之充电动作。 | ||
申请公布号 | TW200300051 | 申请公布日期 | 2003.05.01 |
申请号 | TW091135606 | 申请日期 | 2002.12.09 |
申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 陈健中 |
分类号 | G11C7/12 | 主分类号 | G11C7/12 |
代理机构 | 代理人 | 陈达仁;谢德铭 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹科学工业园区新竹市研新三路四号 |