低电压低频率偏移的电压控制振荡器

摘要

一种低电压低频率偏移的电压控制振荡器,以数个延迟单元串接成的闭合回路所构成,其中每一延迟单元由多个MOS FET构成差动对称结构,并且在电源及地线之间只有两层晶体管。因此可在低电压的条件下运作,并且不受电源变动影响,具有较低的频率偏移的良好性能。

主权项

1．一种低电压低频率偏移的电压控制振荡器，用以接受一控制电压，产生频率比例于该控制电压的一输出信号与一互补输出信号，该电压控制振荡器包括一第一延迟单元、一第二延迟单元、及一第三延迟单元，每一该延迟单元具有一输入端与一互补输入端、一输出端与一互补输出端、及一电压控制端，其中该第一延迟单元的该输入端与该互补输入端分别耦接至该第三延迟单元的该互补输出端与该输出端，该第二延迟单元的该输入端与该互补输入端分别耦接至该第一延迟单元的该互补输出端与该输出端，该第三延迟单元的该输入端与该互补输入端分别耦接至该第二延迟单元的该互补输出端与该输出端，该第三延迟单元的该输出端与该互补输出端输出该输出信号与该互补输出信号，所述延迟单元的电压控制端都接受该控制电压，以控制该输入端与该互补输入端至该输出端与该互补输出端之间的延迟时间，其中每一该延迟单元包括：一第一MOS FET，其源极耦接至一电源；一第二MOS FET，其源极耦接至该电源，其栅极耦接至该第一MOS FET的漏极，其漏极耦接至该第一MOS FET的栅极；一第一负载元件，并联于该第一MOS FET的源极与漏极之间；一第二负载元件，并联于该第二MOS FET的源极与漏极之间；一第三MOS FET，其源极耦接至该电源，其漏极耦接至该第一MOS FET的漏极，其栅极为该输入端；一第四MOS FET，其源极耦接至该电源，其漏极耦接至该第二MOS FET的漏极，其栅极为该互补输入端；一第一电流源，具有一第一端、一第二端、及一控制端，该控制端为该电压控制端，接受该控制电压的控制，以在该第一端与该第二端间产生比例于该控制电压的一电流，该第一端耦接至该第一MOS FET的漏极，该第二端耦接至一地线；以及一第二电流源，具有一第一端、一第二端、及一控制端，该控制端为该电压控制端，接受该控制电压的控制，以在该第一端与该第二端间产生比例于该控制电压的一电流，该第一端耦接至该第二MOS FET的漏极，该第二端耦接至该地线。