| 发明名称 | 氮化物半导体元件 | ||
| 摘要 | 一种氮化物半导体发光元件,它在由许多层氮化物半导体膜构成的n侧区域与由许多层氮化物半导体膜构成的p侧区域之间,设有多量子阱结构的有源层,在上述n侧区域和p侧区域中至少在一个区域中形成由两种氮化物半导体膜构成的多层膜。这种氮化物半导体元件由于有源层能充分发挥其作用,所以能提高发光输出,并且适用于各种领域的实用制品。 | ||
| 申请公布号 | CN1292934A | 申请公布日期 | 2001.04.25 |
| 申请号 | CN99803866.0 | 申请日期 | 1999.03.10 |
| 申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 谷沢公二;三谷友次;中河義典;高木宏典;丸居宏充;福田芳克;池上武止 |
| 分类号 | H01L33/00;H01S5/30 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中咨律师事务所 | 代理人 | 秦开宗;颜涛 |
| 主权项 | 权利要求书1．一种氮化物半导体元件，它在由多层氮化物半导体组成的n侧区域，与由多层氮化物半导体组成的p侧区域之间具有有源层；其特征在于，上述n侧区域的至少一种氮化物半导体层具有把含In的第一种氮化物半导体膜与成分不同于上述第一种氮化物半导体膜的第二种氮化物半导体膜层叠起来的n侧多层膜层，并且，上述第一种氮化物半导体膜和上述第二种氮化物半导体膜中至少有一种膜的厚度在100以下。 | ||
| 地址 | 日本德岛县阿南市 | ||