| 发明名称 | 多比特电阻式存储器 | ||
| 摘要 | 一种存储器包括第一多比特电阻式存储单元和单比特电阻式存储单元。单比特电阻式存储单元用于存储表示是否反转存储在第一多比特电阻式存储单元中的数据的比特。 | ||
| 申请公布号 | CN101221811A | 申请公布日期 | 2008.07.16 |
| 申请号 | CN200710195210.0 | 申请日期 | 2007.12.04 |
| 申请人 | 奇梦达北美公司 | 发明人 | 托马斯·尼尔希 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | G11C16/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;尚志峰 |
| 主权项 | 1.一种存储器，包括：第一多比特电阻式存储单元；以及单比特电阻式存储单元，用于存储表示是否反转存储在所述第一多比特电阻式存储单元中的数据的比特。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||