磁阻式随机存取存储器电路

摘要

本发明提供一种磁阻式随机存取存储器电路，包括下列元件：磁阻式存储单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层和自由磁轴层之间的绝缘层；位线是直接耦接于自由磁轴层，用以于读取动作时提供读取电流；编程线是于执行编程动作时提供编程电流；第一开关装置与第二开关装置是耦接于固定磁轴层与编程线之间，并各自具有栅极；字线是耦接于栅极，用以导通第一开关装置以及第二开关装置以借由流经固定磁轴层的编程电流来改变磁阻式存储单元的状态。本发明具有新颖的MRAM单元结构及对应的外围电路，能够避免发生在写入目标MRAM单元附近的MRAM单元被误写的情形，并提高数据写入的正确性以及效率。

主权项

1.一种磁阻式随机存取存储器电路，其特征是，它包括：磁阻式存储单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于上述固定磁轴层和自由磁轴层之间的绝缘层，上述磁阻式存储单元具有第一导通状态；位线，耦接于上述自由磁轴层，用以于读取动作时提供读取电流；第一开关装置，耦接于上述固定磁轴层的一端，并具有第一栅极；第二开关装置，耦接于上述固定磁轴层的另一端，并具有第二栅极；第一编程线，耦接于上述第一开关装置，用以于执行编程动作时提供编程电流；第二编程线，耦接于上述第二开关装置，提供上述编程电流或者上述读取电流的电路路径；以及字线，耦接于上述第一栅极以及第二栅极，用以提供致能信号以导通上述第一开关装置以及第二开关装置。