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发明名称
雷射照射设备,雷射照射方法,及制造半导体装置的方法
摘要
在被照射表面或其邻近处雷射边缘区,能量密度会因透镜像差等而逐渐衰减。由于这些区域(衰减区)不具有用于对被照射物体进行退火的足够能量密度,所以不能对被照射物体进行均匀退火。本发明中,把多束雷射光束之一分成二雷射光束,使得这二雷射光束的每一部份都成为最终雷射的边缘区。此二雷射光束的每个衰减区都与另一雷射光束的衰减区结合在一起。以此方式,可以从具有衰减区的多个雷射光束中获得各部分都适于对被照射物体进行退火的能量密度的雷射光。
申请公布号
TW200300584
申请公布日期
2003.06.01
申请号
TW091132716
申请日期
2002.11.06
申请人
半导体能源研究所股份有限公司
发明人
田中幸一郎
分类号
H01L21/324
主分类号
H01L21/324
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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