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发明名称
半导体装置之制造方法
摘要
一种半导体装置之制造方法,系进行树脂膜形成步骤,系对具有电极部之半导体基板,形成用以覆盖前述电极部之树脂膜;开口部形成步骤,系对前述树脂膜,于与前述电极部相对应之位置形成开口部;供给步骤,系用以将凸块形成材料供给至前述开口部;凸块形成步骤,系藉由加热处理,于前述开口部形成凸块;及去除步骤,系用以去除前述树脂膜。
申请公布号
TW200300582
申请公布日期
2003.06.01
申请号
TW091133424
申请日期
2002.11.14
申请人
富士通股份有限公司
发明人
作山诚树;落合正行;山口一郎;藤森城次
分类号
H01L21/31
主分类号
H01L21/31
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
日本
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