| 摘要 |
반응실 내에, 통전(通電)에 의해 1500℃ 내지 1800℃와 같은 극히 높은 온도로 가열되는 텅스텐의 선형 촉매체와 250℃ 내지 260℃로 가열되는 알루미늄제의 원통형 기체를 병렬로 배치하고, 진공 펌프에 의해 진공 상태로 된 반응실 내에 SiH와 BH의 혼합 가스, SiH와 H의 혼합 가스, 및 SiH와 NH의 혼합 가스를 순차적으로 도입하여, 가열된 촉매체와 촉매 반응을 일으키게 하고, 상기 반응에 의해 분해 생성된 반응 생성물을 기체에 도달시켜 아몰퍼스 실리콘계 막을, 전하 주입 저지층, 광 도전층 및 표면 보호층으로서 순차적으로 퇴적시키는 촉매 CVD법에 있어서, 표면 보호층의 형성에 앞서, 선형 촉매체로부터의 복사열의 영향을 적게 하여 기체의 온도를 충분히 저하시키기 위해 선형 촉매체를 기체의 표면으로부터 멀리하는 것을 특징으로 하는 촉매 CVD법 및 장치를 제공한다. |
