| 摘要 |
상보형 MOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor; CMOS) 트랜지스터를 제공할 수 있다. 이를 위해서, 반도체 기판의 제 1 및 2 영역들에 제 1 및 2 배선 구조체들이 배치될 수 있다. 상기 제 1 및 2 영역들은 반도체 기판에서 서로 다른 도전성들을 가질 수 있다. 상기 제 1 및 2 배선 구조체들은 반도체 기판 상에 위치할 수 있다. 상기 제 1 배선 구조체는 제 2 배선 구조체와 다른 적층 구조를 가질 수 있다. 상기 상보형 MOS 트랜지스터는 반도체 장치에 배치될 수 있다. 더불어서, 상기 반도체 장치는 반도체 모듈에 배치될 수 있다. |
