| 主权项 |
1.一种制造微电子装置之方法,包括:a)于一基材上提供一光阻影像;b)使用收缩材料涂布该光阻影像;c)使得该收缩材料与光阻影像接触之部分不溶解化;d)使用移除溶液移除该收缩材料未经不溶解化之部分,其中该移除溶液系包含界面活性剂之水溶液。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该移除溶液另外包含氢氧化物硷。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该移除溶液另外包含水可溶混性溶剂。4.如申请专利范围第2项之方法,其中该移除溶液另外包含水可溶混性溶剂。5.如申请专利范围第1项之方法,其另外包括在涂布该光阻影像之后,使该收缩材料曝光。6.如申请专利范围第5项之方法,其另外包括使该收缩材料成像地曝光。7.如申请专利范围第5项之方法,其另外包括使该收缩材料泛照曝光。8.如申请专利范围第1项之方法,其另外包括在使用该收缩材料涂布该光阻之前,使用酸溶液处理该光阻。9.如申请专利范围第1项之方法,其另外包括在步骤b)之后加热该收缩材料,之后使部分之收缩材料不溶解化。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该加热温度系由100℃至160℃。11.如申请专利范围第1项之方法,其中该界面活性剂系为非离子性界面活性剂。12.如申请专利范围第1项之方法,其中该界面活性剂系为阴离子性界面活性剂。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该阴离子性界面活性剂具有多于7个碳原子之烷基链。14.一种移除溶液,其特征在于包含非离子性或阴离子性界面活性剂。15.如申请专利范围第14项之移除溶液,其中该阴离子性界面活性剂系具有多于7个碳原子之烷基链。 |
