| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其系依据预设之初期设定开始执行利用热化学反应之半导体装置之制程,测定前述热化学反应相关之环境气体之状态量,依据藉由该测定所获得之测定资料,分析前述环境气体之状态及其变化,将藉由该分析所获得之分析资料反馈至制程上。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中系以特定间隔断续地执行前述测定,且按照前述测定资料之获得顺序执行前述分析,并且于执行前述反馈时,依据前述分析资料,按照前述测定资料及前述分析资料所获得之顺序,时间序列地修正控制前述制程之相关参数。3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中系在前述环境气体内之数个位置执行前述测定及分析。4.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中将前述测定资料及前述分析资料,按照此等资料所获得之顺序,时间序列地储存,并且按照此等储存顺序执行前述反馈。5.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中利用前述测定资料及前述分析资料中之至少一方作为前述制程之模拟用资料。6.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中利用前述测定资料及前述分析资料中之至少一方,作为未随伴热化学反应之半导体装置之制程之控制用资料。7.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中使前述测定资料于数条路径分歧以取得,比较各路径之测定资料,并且以此等测定资料一致之方式执行前述制程。8.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中以前述环境气体之温度与藉由前述热化学反应所处理之被处理体之温度一致之方式执行前述制程。9.一种半导体装置之制造装置,其系包含:过程处理部,其系执行利用热化学反应之半导体装置的制程;过程处理部控制装置,其系控制该过程处理部之执行状态;测定装置,其系测定前述热化学反应相关之环境气体之状态量;及过程控制装置,其系依据藉由前述测定所获得之测定资料,分析前述环境气体之状态及其变化,并且将藉由该分析所获得之分析资料反馈至前述过程处理部控制装置上。10.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造装置,其中前述测定装置系以特定间隔断续地执行前述测定,且前述过程控制装置系按照前述测定资料之获得顺序执行前述分析,并且于执行前述反馈时,依据前述分析资料,按照前述测定资料及前述分析资料所获得之顺序,时间序列地修正控制前述半导体制程之相关参数。11.如申请专利范围第10项之半导体装置之制造装置,其中前述测定装置系于前述环境气体内之数个位置执行前述测定,并且前述过程控制装置可同时执行前述分析、前述反馈、及前述参数之修正。12.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造装置,其中前述过程控制装置系可任意设定前述过程处理部内之前述环境气体,并且以依据该设定执行有前述制程之方式,执行前述分析、前述反馈、及前述参数之修正。13.如申请专利范围第12项之半导体装置之制造装置,其中前述过程控制装置可分别按照前述测定资料之获得顺序,时间序列地执行前述过程处理部内之前述环境气体之设定及前述分析。14.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造装置,其中包含半导体装置制程之模拟装置,其系依据前述测定资料及前述分析资料中之至少一方,执行前述制程的模拟。15.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造装置,其中包含外部资料储存装置,其系储存前述测定资料及前述分析资料中之至少一方,作为不具热化学反应之半导体装置之制程的控制用资料。16.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造装置,其中包含资料比较装置,其具备经由前述过程处理部控制装置收集前述过程处理部内之前述环境气体之前述测定资料的路径,及不经由前述过程处理部控制装置来收集的路径;并且比较经由此等路径收集之各测定资料。17.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造装置,其中前述过程处理部控制装置以前述过程处理部内之前述环境气体温度、与藉由收纳于前述过程处理部内之前述热化学反应所处理之被处理体温度一致之方式,设定前述过程处理部内之前述环境气体温度。18.一种半导体装置之制造装置之控制方法,其系藉由控制执行有利用热化学反应之半导体装置之制程的过程处理部,依据预设之初期设定开始执行前述制程,将藉由测定前述热化学反应相关之环境气体之状态量所获得之测定资料,及藉由依据该测定资料分析前述环境气体之状态及其变化所获得之分析资料,反馈至前述过程处理部之控制上。19.一种半导体装置之制造装置之控制装置,其系包含:过程处理部控制装置,其系控制过程处理部之执行状态,该过程处理部执行有利用热化学反应之半导体装置之制程;及过程控制装置,其系将藉由测定前述热化学反应相关之环境气体之状态量所获得之测定资料,及藉由依据该测定资料分析前述环境气体之状态及其变化所获得之分析资料,反馈至前述过程处理部控制装置上。20.一种半导体装置之制程之模拟方法,其系于依据预设之初期设定,而开始之利用热化学反应之半导体装置之制程中,测定前述热化学反应相关之环境气体的状态量,依据藉由该测定所获得之测定资料,分析前述环境气体之状态及其变化,依据藉由该分析所获得之分析资料及前述测定资料中之至少一方,执行前述制程之模拟。21.一种半导体装置之制程之模拟装置,其系包含模拟器本体,其系于依据预设之初期设定,而开始之利用热化学反应之半导体装置之制程中,依据藉由测定前述热化学反应相关之环境气体之状态量所获得之测定资料,及藉由依据该测定资料分析前述环境气体之状态及其变化所获得之分析资料中至少一方,执行前述制程之模拟。图式简单说明:图1系简化显示第一种实施形态之半导体装置之制造装置之主要构造部的区块图。图2系以流程图显示图1之制造装置包含之过程控制装置执行的控制顺序。图3系简化显示第二种实施形态之半导体装置之制造装置之主要构造部的区块图。图4系以流程图显示图3之制造装置包含之过程控制装置执行的控制顺序。图5系模式显示自图3之制造装置包含之测定装置所传送之测定资料的其他传递路径。图6系显示图3之制造装置包含之过程处理部之内部温度的测定部分。图7系标图显示经由图5之传递路径所传送之测定资料。图8系分别标图显示图3之制造装置包含之过程处理部内之气体及被处理体之温度。图9系简化显示第三种实施形态之半导体装置之制造装置包含之过程控制装置之内部主要构造的区块图。图10系以流程图显示图9之过程控制装置执行之控制顺序的主要部分。图11系图形显示藉由图9之制造装置所处理之被处理体之膜厚的分布。图12系简化显示第四种实施形态之半导体装置之制造装置包含之过程控制装置之内部主要构造的区块图。图13系以流程图显示图12之过程控制装置执行之控制顺序的主要部分。图14系简化显示第五种实施形态之半导体装置之制造装置包含之过程控制装置之内部主要构造及模型、参数之内部构造的区块图。图15系以流程图显示图14之过程控制装置执行之控制顺序的主要部分。图16系以图形显示构造图14之制造装置包含之过程处理部内之环境气体之气体导入处理的顺序。图17系简化显示第六种实施形态之半导体装置之制造方装置包含之过程控制装置之内部主要构造的区块图。图18系以流程图显示图17之过程控制装置执行之控制顺序的主要部分。图19系以流程图显示图18之流程图中,氧化膜厚计算部执行之计算顺序。图20系以流程图显示图18之流程图之配管要素资讯输入及配管资讯处理之计算顺序。图21系简化显示连接于图17之制造装置包含之过程处理部之配管构造的区块图。图22系简化显示第七种实施形态之半导体装置之制造装置包含之过程控制装置之内部主要构造的区块图。图23系以流程图显示图22之过程控制装置执行之控制顺序之主要部分。图24系以流程图显示图23之流程图之时间顺序资讯之计算顺序。图25系简化显示第八种实施形态之半导体装置之制造装置包含之过程控制装置之内部主要构造及模拟装置的区块图。图26系简化显示图25之过程控制装置与模拟装置间之一种资料收发的区块图。图27系简化显示图25之过程控制装置与模拟装置间之另一种资料收发的区块图。图28系简化显示图25之过程控制装置与模拟装置间之又另一种资料收发的区块图。图29系简化显示第九种实施形态之半导体装置之制造装置包含之过程控制装置之内部主要构造及外部资料储存装置的区块图。图30系简化显示图29之过程控制装置与外部资料储存装置间之一种资料收发的区块图。图31系简化显示图29之过程控制装置与外部资料储存装置间之另一种资料收发的区块图。图32系以流程图显示先前技艺之半导体装置之制造装置及其控制装置执行之氧化处理。 |
