| 主权项 |
1.一种基体制造方法,尤其适用于光学、电子或光电,该方法之特征在于其包括步骤如次:以在一粘着介面中的分子粘着,将一种晶层(2)转移至一支撑体(12)之上;磊晶长成一工作层(16)于种晶层上;以及施加应力使得由种晶层(2)与工作层(16)建构而成的总成从位于粘着介面之支撑体(12)分离。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于用以施行分离而施加之应力系选自包含下列应力之群组中:机械应力、热应力、静电应力及雷射照射应力。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于用以建构支撑体(12)之材料的热膨胀系数为工作层(16)的0.7至3倍,以及种晶层系适于可容忍支撑体及工作层之热膨胀。4.如申请专利范围第3项之方法,其特征在于种晶层(2)所具晶格参数使得工作层(16)得以磊晶长成于种晶层(2)上,而在工作层(16)中的错位浓度低于107/cm2。5.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于至少一打线层(10.11)系插置于种晶层(2)与支撑体(12)之间,粘着介面包围该打线层各打线层。6.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于工作层(16)系由氮化镓制成。7.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于种晶层(2)包含以下所列材料:蓝宝石、碳化矽、氧化锌、{111}矽、氮化镓、钕没食子酸盐(gallate)及锂没食子酸盐。8.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于支撑体(12)包含以下所列材料:非晶系材料、多晶系材料及烧结材料。9.如申请专利范围第7项之方法,其特征在于支撑体(12)包含以下所列材料:多晶系碳化矽、单晶系碳化矽、多晶系氮化铝及蓝宝石。10.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于种晶层(2)之化学成分与支撑体(12)相同。11.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于经由一预弱化区(8),藉由将种晶层(2)自源基体(6)分离而自源基体(6)取出种晶层(2)。12.如申请专利范围第10项之方法,其特征在于预弱化区(8)系藉由将种原子植入源基体(6)中制得,其深度则与源基体(6)厚度相对应。13.如申请专利范围第11项之方法,其特征在于种晶层(2)之自源基体(6)分离操作包含:热处理、施加机械应力及化学蚀刻,或至少自这些操作中择取二种的组合。14.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于所沉积之工作层(16)厚度小于10微米,以及低于5微米较佳。图式简单说明:*图1系用以实现本发明之方法步骤图;*图2系另一用以实现本发明之方法步骤图;*图3系又另一用以实现本发明之方法步骤图;*图4系在本发明之各式方法中,所采用之具四种晶层之中间支撑体透视图。 |
