| 摘要 |
一种本发明之半导体装置用多层电路基板之制造方法包含有以下步骤：使用将两片金属板一体化之复合金属板；于该复合金属板之两面，形成实质上不受金属板用之蚀刻液蚀刻之金属材料制的半导体元件连接用垫，及具有用以使该垫露出之开口部的绝缘层；于前述绝缘层上形成配线层，该配线层系与前述垫相连接，且具有用以与后来形成之其他配线层相连接之垫者；接着藉由交互地形成必要数目之绝缘层及配线层以制造多层电路基板本体；于该多层电路基板本体之最外层之绝缘层上形成具有使位于其上外部连接端子用垫露出之贯通孔的绝缘层；接着分离前述复合金属板，以于前述金属板之一面得到具有前述多层电路基板本体之中间体；及于半导体元件搭载领域蚀刻前述金属板以去除该领域之金属板材料，藉此形成用以包围该半导体元件之搭载领域之框体。 |
