| 发明名称 | 应变翅片式场效应晶体管的结构和方法 | ||
| 摘要 | 一种用于晶体管的结构，包括绝缘体(10)和在所述绝缘体上的硅结构。所述硅结构包括中心部分(155)和从所述中心部分延伸的第一(250)和第二端(250)。第一栅极(50)位于所述结构的所述中心部分(155)的第一侧上。应变产生层(11)可以在所述第一栅极(50)和所述结构的所述中心部分(155)之间，第二栅极(160)在所述结构的所述中心部分(155)的第二侧上。 | ||
| 申请公布号 | CN1643697A | 申请公布日期 | 2005.07.20 |
| 申请号 | CN03806287.9 | 申请日期 | 2003.03.19 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 威廉·F·克拉克;戴维·M·佛莱德;路易斯·D·兰泽洛蒂;爱德华·J·诺瓦克 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L33/00 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种晶体管，包含：绝缘体(10)；在所述绝缘体上的半导体结构，其中所述结构包括中心部分(155)和从所述中心部分延伸的第一(250)和第二端(250)；位于所述结构的所述中心部分(155)的第一侧上的第一栅极(50)；在所述第一栅极(50)和所述结构的所述中心部分(155)的所述第一侧之间的应变产生层(11)；以及在所述结构的所述中心部分(155)的第二侧上的第二栅极(160)。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||