将电子编程到非易失性存储单元浮栅上的改进方法

摘要

一种存储单元具有形成于半导体衬底表面中的沟槽，以及间隔开的源漏区，其间形成有沟道区。源区形成在沟槽的下面，且该沟道区包括沿着沟槽侧壁垂直延伸的第一部分和沿着衬底表面水平延伸的第二部分。将导电浮栅设置在邻近沟道区第一部分并与之绝缘的沟槽中。将导电控制栅设置在沟道区第二部分之上并与之绝缘。导电材料块至少具有设置在沟槽中邻近浮栅并与之绝缘的其底部，且与源区电连接。一种对单元编程的方法包括在沟道的第二部分中生成反转层的步骤。在邻近反转层的漏区产生了电子流，且电子流穿过反转层，到达夹断点。通过来自浮栅的场线使电子加速穿过耗尽区，具有很少的或没有散射，使电子加速穿过将衬底与浮栅隔开的绝缘体，并注入到浮栅上。

主权项

1.一种对电可编程和可擦除存储器进行编程的方法，在所述电可编程和可擦除存储器中具有第一导电类型的半导体材料制成的衬底和衬底中形成的第二导电类型的第一和第二间隔开的区域，其间具有形成于衬底中的非共面沟道区，其中所述的非共面沟道区具有两部分：第一部分和第二部分，导电控制栅具有邻近该沟道区的第一部分设置并与之绝缘的一部分，用于在其中产生反转层，浮栅具有邻近该沟道区的第二部分设置并通过绝缘体与之绝缘的一部分，用于生成具有指向该浮栅的场线的耗尽区，其中所述的第一区域与该反转层相邻，所述方法包括：生成所述的反转层；在所述第一区域生成电子流，并使所述的电子流穿过所述的反转层；和通过所述场线对穿过所述耗尽区的所述电子流加速，具有很少的或没有散射，使所述的电子加速穿过所述的绝缘体并注入到该浮栅上。