发明名称 | 高强度磁场开式磁共振成像隔磁系统及方法 | ||
摘要 | 一种垂直对准的开式磁共振成像磁体系统(10)包括第一和第二(亦即,顶部和底部)(12,14)组件,各自拥有纵向延伸且垂直对准的轴(22,28),超导主线圈(24,30),及包围着该主线圈的真空外壳(26,32)。至少一个支撑梁(16,18)具有附着到该第一组件(12)上的第一端(34)和附着到该第二组件(14)上的第二端(36)。隔振系统(20)支持着该磁体系统。 | ||
申请公布号 | CN100464700C | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
申请号 | CN02142970.7 | 申请日期 | 2002.09.13 |
申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | Y·王;E·T·拉斯卡里斯;R·A·兰策 |
分类号 | A61B5/055(2006.01) | 主分类号 | A61B5/055(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曾祥凌;黄力行 |
主权项 | 1.一种开式磁共振成像系统,其包括:一开式磁共振成像磁体系统(1,10);和一适合于支持该磁共振成像磁体系统的隔振系统(2,20),隔振系统(2,20)包括一个可调节的平衡体(3,128),紧固到所述磁体系统上且构造成可调节,从而抬高或降低所述磁体系统的重力中心;其中所述开式磁共振成像磁体系统包括哈斗式磁共振成像磁体系统。 | ||
地址 | 美国纽约州 |