| 摘要 |
finFET 디바이스에 대한 어닐링에 의해 고농도 도핑된 소스 및 드레인 여역으로부터 도펀트를 구동시킴으로써 저농도 도핑 드레인(LDD) 영역을 도핑하는 메커니즘의 실시예가 제공된다. 이 메커니즘은 발전된 finFET 디바이스를 위해 이온 주입의 쉐도잉 효과에 의한 제한을 극복한다. 고농도 도핑된 소스 및 드레인 영역은 핀에 형성된 리세스로부터 하나 이상의 도핑된 실리콘 함유 재료를 에피텍셜 성장시킴으로써 형성된다. 그 다음, 발전된 어닐링 프로세스에 의해 도펀트가 LDD 영역 안으로 구동되며, 이는 LDD 영역 내의 목표로 하는 도펀트 레벨 및 프로파일을 달성할 수 있다. |
