摘要 |
Une cellule de mémoire morte (ROM) à quatre états (10) est améliorée en réalisant une zone de porte de potentiel à section décroissante (26) entre une région de source (30) et une région de drain (28), ce qui permet d'accroître la largeur effective de la porte et de réduire la longueur de la porte pour chaque état de gain plus élevé successif avec un masque de programme unique pendant l'étape de dépôt de la porte en polysilicium. |