| 发明名称 | 经处理以清除自由碳的半导体衬底加工装置的碳化硅部件 | ||
| 摘要 | 提供了等离子体加工装置的碳化硅部件、制作此部件的方法、以及在半导体衬底的加工过程中使用此部件来提供降低了的衬底颗粒沾污的方法。利用在部件中导致自由碳的工艺来形成碳化硅部件。对此碳化硅部件进行处理，以便至少从表面清除自由碳。 | ||
| 申请公布号 | CN1890034A | 申请公布日期 | 2007.01.03 |
| 申请号 | CN200480036347.6 | 申请日期 | 2004.11.12 |
| 申请人 | 兰姆研究公司 | 发明人 | 任大兴 |
| 分类号 | B08B6/00(2006.01);C25F1/00(2006.01);C25F3/30(2006.01);C25F5/00(2006.01) | 主分类号 | B08B6/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种从半导体衬底加工装置的碳化硅部件清除自由碳的方法，此碳化硅部件是多孔的，且包括内部和暴露表面，此碳化硅部件在内部和暴露表面上包括自由碳，此方法包括对碳化硅部件进行处理，以便至少基本上清除暴露表面上的所有自由碳。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||