| 主权项 |
1.一种制造一模版遮罩的方法,其步骤包括:利用平面应力分析计算每一模版孔图案之模版遮罩中模版孔开口的模版孔形状之位移量;以该计算结果为基础修正孔的图案,以获得一所需图案形状;以及以该图案形状为基础,在该模版遮罩中形成一所需之图案形状;该计算步骤仅计算尺寸等于或大于一预设尺寸的模版孔图案之位移量。2.如申请专利范围第1项之制造一模版遮罩的方法,其中除了仅计算尺寸等于或大于一预设尺寸的模版孔图案之位移量之外,其修正步骤亦进行尺寸小于预设尺寸之模版孔图案的位置位移量修正。3.如申请专利范围第2项之制造一模版遮罩的方法,其中除了仅计算尺寸等于或大于一预设尺寸的模版孔图案之位移量之外,利用平面应力分析的应力关系式{p}=At[B]T[D][B]{d}(其中{p}为加诸一节点之外部力量的向量,A为一元素的面积,t为该元素的厚度,[B]为该元素之一位移-变形矩阵,[B]T为[B]之一移项后矩阵,[D]为该元素之一应力-变形矩阵,而{d}则为该节点之一位移量向量),该计算步骤对尺寸小于预设尺寸的每一模版孔图案,在公式中对其分析的每一元素提供其模版孔图案体积上的一At变异量,而不需图案形状资讯以执行位移量之计算。4.如申请专利范围第1项之制造一模版遮罩的方法,其中所形成之所需图案形状之轮廓的每一弯曲线及弧线皆经修改,其所修改成之一阶梯状线的修正高度系小于一允许高度値。5.一种模版遮罩,包括一模版遮罩主体,其上之所需图案形状的形成系根据仅计算尺寸等于或大于每一模版孔图案之一预设尺寸的每一模版孔图案的开口位移量所得之图案形状,并根据该计算结果修正该孔之图案。6.如申请专利范围第5项之模版遮罩,其中为获得所需图案形状,除了仅计算尺寸等于或大于一预设尺寸的模版孔图案之位移量之外,亦进行尺寸小于预设尺寸之模版孔图案的位置位移量修正。7.如申请专利范围第6项之模版遮罩,其中为获得所需图案形状,除了仅计算尺寸等于或大于一预设尺寸的模版孔图案之位移量之外,利用平面应力分析的应力关系式{p}=At[B]T[D][B]{d}(其中{p}为加诸一节点之外部力量的向量,A为一元素的面积,t为该元素的厚度,[B]为该元素之一位移-变形矩阵,[B]T为[B]之一移项后矩阵,[D]为该元素之一应力-变形矩阵,而{d}则为该节点之一位移量向量),该计算位移量之步骤系对尺寸小于预设尺寸的每一模版孔图案,在公式中对其分析的每一元素提供其模版孔图案体积上的一At变异量,而不需图案形状资讯。8.如申请专利范围第5项之模版遮罩,其中所形成之所需图案形状之轮廓的每一弯曲线及弧线皆经修改,其所修改成之一阶梯状线的修正高度系小于一允许高度値。9.一种半导体装置,其具有一表面,该表面上相关于一模版遮罩上的一所需图案形成一图案形状,该模版遮罩上所需图案形状的形成,系根据仅计算尺寸等于或大于每一模版孔图案之一预设尺寸的每一模版孔图案的开口位移量所得之图案形状,并根据该计算结果修正该孔之图案;该图案形状的形成系藉照射一带电粒子束于该模版遮罩,使通过该模版遮罩之带电粒子束可照射于该半导体装置的表面上。10.如申请专利范围第9项之半导体装置,其形成图案形状所利用之模版遮罩的形成,系除了仅计算尺寸等于或大于一预设尺寸的模版孔图案之位移量之外,亦进行尺寸小于预设尺寸之模版孔图案的位置位移量修正。11.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中形成该图案形状所利用的该模版遮罩的形成,系除了仅计算尺寸等于或大于一预设尺寸的模版孔图案之位移量之外,利用平面应力分析的应力关系式{p}=At[B]T[D][B]{d}(其中{P}为加诸一节点之外部力量的向量,A为一元素的面积,t为该元素的厚度,[B]为该元素之一位移-变形矩阵,[B]T为[B]之一移项后矩阵,[D]为该元素之一应力-变形矩阵,而{d}则为该节点之一位移量向量),该计算位移量之步骤并对尺寸小于预设尺寸的每一模版孔图案,在公式中对其分析的每一元素提供其模版孔图案体积上的一At变异量,而不需图案形状资讯。12.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中该图案形状系利用该模版遮罩所形成,其中所形成之所需图案形状之轮廓的每一弯曲线及弧线皆经修改,其所修改成之一阶梯状线的修正高度系小于一允许高度値。13.一种制造一半导体装置的方法,其步骤包括以一带电粒子束照射一模版遮罩,在该模版遮罩上形成一所需图案形状,该所需图案形状的形成,系根据仅计算尺寸等于或大于每一模版孔图案之一预设尺寸的每一模版孔图案的开口位移量所得之图案形状,并根据该计算结果修正该孔之图案,使通过该模版遮罩之带电粒子束可照射于该半导体装置的表面上,以在该半导体装置之表面上依据该模版遮罩之所需图案形成一图案形状。14.如申请专利范围第13项之制造一半导体装置的方法,其所利用之模版遮罩的形成,系除了仅计算尺寸等于或大于一预设尺寸的模版孔图案之位移量之外,亦进行尺寸小于预设尺寸之模版孔图案的位置位移量修正。15.如申请专利范围第14项之制造一半导体装置的方法,其所利用之模版遮罩的形成,系除了仅计算尺寸等于或大于一预设尺寸的模版孔图案之位移量之外,利用平面应力分析的应力关系式{p}=At[B]T[D][B]{d}(其中{p}为加诸一节点之外部力量的向量,A为一元素的面积,t为该元素的厚度,[B]为该元素之一位移-变形矩阵,[B]T为[B]之一移项后矩阵,[D]为该元素之一应力-变形矩阵,而{d}则为该节点之一位移量向量),该计算位移量之步骤并对尺寸小于预设尺寸的每一模版孔图案,在公式中对其分析的每一元素提供其模版孔图案体积上的一At变异量,而不需图案形状资讯。16.如申请专利范围第13项之制造一半导体装置的方法,其中系利用该模版遮罩,其所形成之所需图案形状之轮廓的每一弯曲线及弧线皆经修改,所修改成之一阶梯状线的修正高度系小于一允许高度値。图式简单说明:图1为一平面图,显示将依据本发明用于一模版遮罩之制造的模版遮罩图案分割成大量三角形元素,以利有限元素法之分析的实例;图2A显示在执行过应力分析后,具有弧形轮廓的一模版孔图案,图2B则系显示图2A之模版孔图案在执行过逐步修正后的情形;图3A显示具有一大型模版孔及数个小型模版孔的模版遮罩之规划图,图3B则系显示将图3A之模版遮罩利用习知方法分割成元素,以根据有限元素法分析该模版遮罩的规划图;图4显示在分割成三角形的状况中,用以计算一三角形之节点的各种变数;图5为利用应力分析法的位移量修正程序之流程图;以及图6A显示当以模版遮罩图案资料形成一模版孔(由交替之长短划线条表示)时,所实际形成的一模版孔(由实线表示),图6B则显示将图6A之结果考虑进去以形成一弯向内侧之模版孔(由交替之长短划线条表示)时,所实际形成的一模版孔(由实线表示)。 |
